|
|
| Статистика |
Онлайн всего: 1 Гостей: 1 Пользователей: 0
|
|
|
|
Главная » 2013 » Апрель » 18 » Samsung разрабатывает 1 гигабитную DRAM с широким интерфейсом ввода / вывода
00:41 Samsung разрабатывает 1 гигабитную DRAM с широким интерфейсом ввода / вывода |
Samsung объявила о разработке микросхем памяти типа DRAM плотностью 1 Гбит, предназначенной для мобильных устройств. Память будет снабжена «широким интерфейсом ввода-вывода» (wide I/O mobile DRAM). Память рассчитана на выпуск с применением технологии 50-нанометрового класса.
Пропускная способность новых DRAM составляет 12.8 ГБ/с, что в восемь раз превосходит возможности мобильной памяти DDR DRAM (1.6 ГБ/с), а энергопотребление снижено на 87%. Новая память по пропускной способности вчетверо превосходит память LPDDR2 DRAM (примерно 3.2 ГБ/с).
Для увеличения объема передачи данных компания решила использовать 512 контактов для ввода-вывода, а не 32 как ранее.
Память предназначена для таких устройств, как смартфоны и планшеты.
В 2013 году Samsung намерена освоить выпуск новой памяти плотностью 4 Гбит по нормам 20-нанометрового класса.
|
|
Просмотров: 333 |
Добавил: koti4ka
| Рейтинг: 0.0/0 |
|
|
